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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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富士变频器全称为“富士交流变频调速器”，是由富士电机株式会社研发、生产、销售的世界变频器品牌之一，在世界各地占有率比较高。主要用于三相异步交流电机，用于控制和调节电机速度。富士变频器主要由整流、滤波、逆变、制动单元、驱动单元、检测单元等微处理单元组成。通过改变电源的频率来达到改变电源电压的目的，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的。
富士变频器主要有：FRN-G11S系列、FRN-P11S系列、FRN-F1S系列、FRN-E1S系列、FRN-G1S系列等
富士变频器是由取得环境管理系统ISO14001认证的工厂制造高性能和多功能的理想结合动态转矩矢量控制能在各种运行条件下实现对电动机的*控制。
动态转矩矢量控制动态转矩矢量控制是一种先进的驱动控制技术。控制系统高速计算电动机驱动负载所需功率，*控制电压和电流矢量，zui大限度地发挥电动机的输出转矩。
●按照动态转矩矢量控制方式，能配合负载实现在zui短时间内平稳地加减速。
●使用高速CPU能快速响应急变负载和及时检知再生功率，设有控制减速时间的再生回避功能，实现无跳闸自动减速过程。
●采用富士独自开发的控制方式，在0.5Hz能输出200%高起动转矩（￡22kW）。*30kW以上时为180%
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https://www.gkzhan.com/st85518/product_3948703.html
IGBT逆变模块厂家